通過傳統方法制備碳化硅涉及相當大的能量和經濟成本，因此尋找合成的替代技術具有重要意義。碳納米材料作為碳源被積極地研究以降低合成溫度。通過干燥液滴和從短（1-500nm）碳納米管和納米（-7nm）無定形二氧化硅的膠體溶液中獲得的結構的形態，元素組成和晶體結構的實驗研究結果。
  
  在某些初始組分的臨界濃度下顯示出棒狀結構的形成；發現干燥液滴的動態條件決定了在室溫下棒狀結構的合成比在高壓釜中在約180℃的溫度下大2-3倍。樣品的元素分析顯示出高百分比的碳和硅原子。通過X射線衍射法揭示了棒狀結構中多型4-HSiC相的存在。
  
  基于數值計算，提供了短碳納米管的活性帶電中心的模型，其提供了Si-C，Si-O-C和C-Si-O-C共價鍵形成的可能性。干燥液滴法適用于以^小能耗快速（10-20分鐘）局部合成少量棒狀結構。高壓釜允許長時間（幾天）合成克數。與實際中廣泛使用的方法相比，這兩種方法都是低溫的。